Optical Critical Dimension Metrology instrument
光学线宽测量仪
Optical Critical Dimension Metrology instrument
光学线宽测量仪
产品简介
套刻精度量测设备采用自研精密光学成像技术、高性能图像聚焦技术、具备图像聚焦和干涉聚焦方式，主要用于先进工艺制程、先进的套刻量测算法及系统化集成技术，满足半导体各细分领域的光刻工艺和刻蚀工艺质量管控及优化需求
应用场景
主要应用于集成电路制造过程中光刻工艺、刻蚀工艺套刻误差的量测
适用领域：涵盖逻辑、存储、功率及化合物半导体（SiC/GaN/InP/GaAs）等制造环节
晶圆尺寸：不同机型分别支持12英寸、兼容8英寸、兼容 4英寸/6英寸/8英寸
工艺制程：14nm-180nm
产品特点：
· 高稳定性：运行环境扰动监测及补偿、系统模块化精密集成；
· 高精度：高分辨率光学成像系统、纳米级运动控制系统及图像信号信噪比增加算法；
· 高工艺适应性：宽光谱精密调节光源，工艺数据分析补偿系统；
· 高产能：自适应自动聚焦技术，高动态响应运动机构，设备最优运行流程规划；
· 高智能化：设备运行自诊断及校准，无晶圆模型建立及配方自动生成，量测参数自动优化；
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